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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
37
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
34
読み出し速度、GB/s
13.9
16.4
書き込み速度、GB/秒
8.6
13.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2395
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
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