RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 73
    周辺 49% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 7.5
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2395 left arrow 1838

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAMの比較

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
メモリRAM