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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
37
周辺 -42% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.0
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
26
読み出し速度、GB/s
13.9
17.7
書き込み速度、GB/秒
8.6
14.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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