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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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考慮すべき理由
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読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
37
読み出し速度、GB/s
13.9
14.3
書き込み速度、GB/秒
8.6
9.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2395
2422
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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