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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
比較する
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
85
周辺 56% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
8.1
テスト平均値
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
13.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
85
読み出し速度、GB/s
13.9
15.1
書き込み速度、GB/秒
8.6
8.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2395
1772
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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