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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
比較する
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
71
周辺 48% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
8.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.5
13.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
71
読み出し速度、GB/s
13.9
14.5
書き込み速度、GB/秒
8.6
8.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2395
1863
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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