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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
総合得点
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.9
11.1
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
37
周辺 -16% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.2
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
32
読み出し速度、GB/s
13.9
11.1
書き込み速度、GB/秒
8.6
9.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2395
2449
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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