RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
比較する
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
総合得点
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.8
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
92
周辺 -207% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
1,266.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
92
30
読み出し速度、GB/s
2,105.4
16.8
書き込み速度、GB/秒
1,266.1
13.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
339
3386
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB RAMの比較
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link