RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.3
    テスト平均値
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 92
    周辺 -268% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 1,266.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    92 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    2,105.4 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,266.1 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    339 left arrow 2994

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB RAMの比較

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
メモリRAM