RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点
star star star star star
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 18.2
    テスト平均値
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB 考慮すべき理由
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 92
    周辺 -207% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 1,266.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    92 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,105.4 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,266.1 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    339 left arrow 3473

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
メモリRAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
メモリRAM