RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
比較する
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
総合得点
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
総合得点
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
79
92
周辺 -16% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
1,266.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
92
79
読み出し速度、GB/s
2,105.4
14.7
書き込み速度、GB/秒
1,266.1
7.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
339
1710
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link