RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
比較する
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.2
テスト平均値
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
92
周辺 -100% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
1,266.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
92
46
読み出し速度、GB/s
2,105.4
14.2
書き込み速度、GB/秒
1,266.1
13.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
339
2717
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link