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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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仕様
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
36
周辺 -71% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.7
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
21
読み出し速度、GB/s
14.9
18.7
書き込み速度、GB/秒
9.5
13.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
2807
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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