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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
13.5
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
36
周辺 -9% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.4
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
33
読み出し速度、GB/s
14.9
13.5
書き込み速度、GB/秒
9.5
11.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
2588
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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