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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

総合得点
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Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Super Talent F24EB8GS 8GB 考慮すべき理由
Super Talent F24EB8GS 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 36
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 14.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 3017

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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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