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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
総合得点
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
44
周辺 41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.6
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
8.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
44
読み出し速度、GB/s
12.6
10.6
書き込み速度、GB/秒
9.5
8.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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