RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
44
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2374
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link