RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
44
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
44
Velocità di lettura, GB/s
12.6
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2374
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link