RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
44
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
44
Velocità di lettura, GB/s
12.6
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2374
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link