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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
36
周辺 -112% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.7
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.6
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
17
読み出し速度、GB/s
14.9
21.7
書き込み速度、GB/秒
9.5
16.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
3320
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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