RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    61 left arrow 67
    周辺 9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.9
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 2,077.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    3,835.2 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,077.3 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    606 left arrow 1850

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
メモリRAM