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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
67
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,077.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
67
读取速度,GB/s
3,835.2
15.9
写入速度,GB/s
2,077.3
8.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
1850
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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