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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
総合得点
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
19.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,077.3
15.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
19
61
周辺 -221% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
61
19
読み出し速度、GB/s
3,835.2
19.5
書き込み速度、GB/秒
2,077.3
15.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
606
3435
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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