Comparaison de la RAM Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Note globale

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 19.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,077.3 15.8

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

19 61

Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 6400

Autour de 3 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

606 3435

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns