RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,077.3 left arrow 10.3
    テスト平均値
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 61
    周辺 -69% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,835.2 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,077.3 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    606 left arrow 2466

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
メモリRAM