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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
61
Autour de -69% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
2466
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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