RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905713-028.A00G 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905713-028.A00G 8GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.3
    テスト平均値
Kingston 9905713-028.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 54
    周辺 -74% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 16.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 3111

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAMの比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
メモリRAM