RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3111
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link