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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
84
周辺 36% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
12.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.0
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
84
読み出し速度、GB/s
3,573.5
12.5
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
7.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
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