RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
84
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
84
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
1486
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link