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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
19.2
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
54
周辺 -108% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
26
読み出し速度、GB/s
3,573.5
19.2
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
12.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
3180
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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