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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
54
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3180
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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