RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2199
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Corsair CM2X1024-6400C5DHX 1GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link