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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2370
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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