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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
4110
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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