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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
14.4
20.4
写入速度,GB/s
9.5
16.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
4110
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
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Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
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