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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
16.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
4110
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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