RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2199
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link