RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
65
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
65
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1921
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link