RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2199
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link