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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比較する
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
総合得点
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
総合得点
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
30
周辺 7% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
5.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
11.8
11.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
30
読み出し速度、GB/s
11.7
11.8
書き込み速度、GB/秒
8.4
5.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1578
1984
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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