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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比較する
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
総合得点
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
26.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
14
72
周辺 -414% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
19.8
1,938.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
72
14
読み出し速度、GB/s
4,241.0
26.4
書き込み速度、GB/秒
1,938.7
19.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
677
4362
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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