RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

総合得点
star star star star star
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 10
    テスト平均値
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 72
    周辺 -112% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.2 left arrow 1,938.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    72 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,938.7 left arrow 6.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    677 left arrow 1693

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAMの比較

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
メモリRAM