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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
総合得点
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
総合得点
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
71
77
周辺 -8% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.0
1,884.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
71
読み出し速度、GB/s
2,936.9
14.5
書き込み速度、GB/秒
1,884.0
8.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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