SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Note globale
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 14.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    71 left arrow 77
    Autour de -8% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.0 left arrow 1,884.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 6400
    Autour de 3.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    77 left arrow 71
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,936.9 left arrow 14.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,884.0 left arrow 8.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    564 left arrow 1863
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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