RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比較する
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
10.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
64
周辺 -31% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
2,256.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
49
読み出し速度、GB/s
4,651.3
10.9
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
8.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
837
2413
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAMの比較
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link