RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
64
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2413
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link