RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2870
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link