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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比較する
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,256.8
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
64
周辺 -68% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
38
読み出し速度、GB/s
4,651.3
14.0
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
10.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
837
2055
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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