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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 42
    周辺 -35% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.2 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 19.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 3341

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メモリRAM
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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