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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
9.7
19.2
写入速度,GB/s
6.0
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3341
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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